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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V2010NBR1

Name: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V2010NBR1
Brand: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V2010NBR1
SKU: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V2010NBR1
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (179 reviews)

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V2010NBR1

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V2010NBR1

descrição

Número da peça:	MRF6V2010NBR1	Fabricante:	NXP EUA Inc.
Descrição:	FET RF 110V 220MHZ TO272-2	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF6V2010NBR1

Estado da parte	Obsoleto
Tipo do transistor	LDMOS
Frequência	220MHz
Ganho	23.9dB
Tensão - teste	50V
Avaliação atual	-
Figura de ruído	-
Atual - teste	30mA
Saídas de potência	10W
Tensão - avaliado	110V
Pacote/caso	TO-272Because
Pacote do dispositivo do fornecedor	TO-272-2
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento MRF6V2010NBR1

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V2010NBR1 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V2010NBR1

Especificações MRF6V2010NBR1

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