Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF6V2010NBR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF6V2010NBR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF6V2010NBR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF6V2010NBR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF6V2010NBR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF6V2010NBR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF6V2010NBR1 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 110V 220MHZ TO272-2 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF6V2010NBR1 specificaties

Deelstatus Verouderd
Transistortype LDMOS
Frequentie 220MHz
Aanwinst 23.9dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 30mA
Macht - Output 10W
Geschat voltage - 110V
Pakket/Geval Aan-272Because
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-272-2
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF6V2010NBR1 verpakking

Opsporing

MRF6V2010NBR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF6V2010NBR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF6V2010NBR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF6V2010NBR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)