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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2010NBR1

Name: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2010NBR1
Brand: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2010NBR1
SKU: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2010NBR1
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (111 reviews)

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2010NBR1

Grande immagine : Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2010NBR1

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2010NBR1

descrizione

Numero del pezzo:	MRF6V2010NBR1	Produttore:	NXP USA Inc.
Descrizione:	FET RF 110V 220MHZ TO272-2	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF6V2010NBR1

Stato della parte	Obsoleto
Tipo del transistor	LDMOS
Frequenza	220MHz
Guadagno	23.9dB
Tensione - prova	50V
Valutazione corrente	-
Figura di rumore	-
Corrente - prova	30mA
Uscita elettrica	10W
Tensione - stimata	110V
Pacchetto/caso	TO-272Because
Pacchetto del dispositivo del fornitore	TO-272-2
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF6V2010NBR1

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2010NBR1 0

Prodotto Tag:

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