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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3475TE12IF

Name: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3475TE12IF
Brand: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3475TE12IF
SKU: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3475TE12IF
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (134 reviews)

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3475TE12IF

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Precio:	Negotiable
Tiempo de entrega:	Negociable
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Capacidad de la fuente:	100000

Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3475TE12IF

descripción

Número de parte:	2SK3475TE12IF	Fabricante:	Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Descripción:	MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones 2SK3475TE12IF

Situación de la parte	Interrumpido en Digi-Key
Tipo del transistor	Canal N
Frecuencia	520MHz
Aumento	14.9dB
Voltaje - prueba	7.2V
Grado actual	1A
Figura de ruido	-
Actual - prueba	50mA
Poder - salida	630mW
Voltaje - clasificado	20V
Paquete/caso	TO-243AA
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-62
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

Empaquetado 2SK3475TE12IF

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3475TE12IF 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3475TE12IF

Especificaciones 2SK3475TE12IF

Empaquetado 2SK3475TE12IF

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