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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3475TE12IF

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3475TE12IF

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3475TE12IF
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3475TE12IF
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
2SK3475TE12IF
Produttore:
Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Descrizione:
MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche 2SK3475TE12IF

Stato della parte Cessato alla Digi-chiave
Tipo del transistor N-Manica
Frequenza 520MHz
Guadagno 14.9dB
Tensione - prova 7.2V
Valutazione corrente 1A
Figura di rumore -
Corrente - prova 50mA
Uscita elettrica 630mW
Tensione - stimata 20V
Pacchetto/caso TO-243AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore SC-62
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare 2SK3475TE12IF

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3475TE12IFChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3475TE12IFChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3475TE12IFChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3475TE12IF

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