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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2SK3475TE12IF

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2SK3475TE12IF

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2SK3475TE12IF
Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2SK3475TE12IF

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2SK3475TE12IF

descrição
Número da peça: 2SK3475TE12IF Fabricante: Semicondutor e armazenamento de Toshiba
Descrição: MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações 2SK3475TE12IF

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor N-canal
Frequência 520MHz
Ganho 14.9dB
Tensão - teste 7.2V
Avaliação atual 1A
Figura de ruído -
Atual - teste 50mA
Saídas de potência 630mW
Tensão - avaliado 20V
Pacote/caso TO-243AA
Pacote do dispositivo do fornecedor SC-62
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento 2SK3475TE12IF

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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