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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HR5

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HR5

descripción
Número de parte: MMRF1312HR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: PICO 50V del TRANSPORTE 900-1215MHZ 1000W Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MMRF1312HR5

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 1.03GHz
Aumento 19.6dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 100mA
Poder - salida 1000W
Voltaje - clasificado 112V
Paquete/caso SOT-979A
Paquete del dispositivo del proveedor NI-1230-4H
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MMRF1312HR5

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HR5 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HR5 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HR5 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HR5 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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