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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1312HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1312HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1312HR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1312HR5
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MMRF1312HR5
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
PICCO 50V del TRASPORTO 900-1215MHZ 1000W
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MMRF1312HR5

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 1.03GHz
Guadagno 19.6dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 1000W
Tensione - stimata 112V
Pacchetto/caso SOT-979A
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-1230-4H
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MMRF1312HR5

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1312HR5Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1312HR5Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1312HR5Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1312HR5

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