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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF282ZR1

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF282ZR1

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF282ZR1
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Imagem Grande :  Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF282ZR1

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF282ZR1

descrição
Número da peça: MRF282ZR1 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 65V 2GHZ NI-200Z Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF282ZR1

Estado da parte Obsoleto
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 2GHz
Ganho 11.5dB
Tensão - teste 26V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 75mA
Saídas de potência 10W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso NI-200Z
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-200Z
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF282ZR1

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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