Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF282ZR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF282ZR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF282ZR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF282ZR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF282ZR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF282ZR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF282ZR1 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 65V 2GHZ NI-200Z Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF282ZR1 specificaties

Deelstatus Verouderd
Transistortype LDMOS
Frequentie 2GHz
Aanwinst 11.5dB
Voltage - Test 26V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 75mA
Macht - Output 10W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval Ni-200Z
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-200Z
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF282ZR1 verpakking

Opsporing

MRF282ZR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF282ZR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF282ZR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF282ZR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)