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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20140WHR5

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20140WHR5

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20140WHR5

descrição
Número da peça: MRF8P20140WHR5 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF8P20140WHR5

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor LDMOS (duplo)
Frequência 1.88GHz ~ 1.91GHz
Ganho 16dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 500mA
Saídas de potência 24W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso NI-780-4
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-780-4
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF8P20140WHR5

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20140WHR5 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20140WHR5 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20140WHR5 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20140WHR5 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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