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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20140WHR5

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20140WHR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20140WHR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20140WHR5

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20140WHR5

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20140WHR5

descrizione
Numero del pezzo: MRF8P20140WHR5 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8P20140WHR5

Stato della parte Cessato alla Digi-chiave
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 1.88GHz ~ 1.91GHz
Guadagno 16dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 24W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-780-4
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780-4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8P20140WHR5

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20140WHR5 0Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20140WHR5 1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20140WHR5 2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20140WHR5 3

Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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