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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S18260HSR5

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S18260HSR5

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S18260HSR5

descrição
Número da peça: MRF8S18260HSR5 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF8S18260HSR5

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor LDMOS (duplo)
Frequência 1.81GHz
Ganho 17.9dB
Tensão - teste 30V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 1.6A
Saídas de potência 74W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso SOT-1110B
Pacote do dispositivo do fornecedor NI1230S-8
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF8S18260HSR5

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S18260HSR5 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S18260HSR5 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S18260HSR5 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S18260HSR5 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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