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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S18260HSR5

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S18260HSR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S18260HSR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S18260HSR5

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S18260HSR5

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S18260HSR5

descrizione
Numero del pezzo: MRF8S18260HSR5 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8S18260HSR5

Stato della parte Cessato alla Digi-chiave
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 1.81GHz
Guadagno 17.9dB
Tensione - prova 30V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.6A
Uscita elettrica 74W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1110B
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI1230S-8
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S18260HSR5

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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