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BF1101WR, un chip di 135 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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BF1101WR, un chip di 135 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BF1101WR, un chip di 135 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BF1101WR, un chip di 135 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Grande immagine :  BF1101WR, un chip di 135 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

BF1101WR, un chip di 135 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

descrizione
Numero del pezzo: BF1101WR, 135 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 7V SOT343R DOPPIO Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BF1101WR, 135 specifiche

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor Portone doppio di N-Manica
Frequenza 800MHz
Guadagno -
Tensione - prova 5V
Valutazione corrente 30mA
Figura di rumore 1.7dB
Corrente - prova 12mA
Uscita elettrica -
Tensione - stimata 7V
Pacchetto/caso SC-82A, SOT-343
Pacchetto del dispositivo del fornitore CMPAK-4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BF1101WR, 135 che imballano

Rilevazione

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Persona di contatto: Darek

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