Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BF1101WR, 135 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BF1101WR, 135 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BF1101WR, 135 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BF1101WR, 135 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BF1101WR, 135 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BF1101WR, 135 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BF1101WR, 135 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: MOSFET N-CH 7V DUBBELE SOT343R Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BF1101WR, 135 Specificaties

Deelstatus Verouderd
Transistortype N-Channel Dubbele Poort
Frequentie 800MHz
Aanwinst -
Voltage - Test 5V
Huidige Classificatie 30mA
Geluidsniveau 1.7dB
Huidig - Test 12mA
Macht - Output -
Geschat voltage - 7V
Pakket/Geval SC-82A, DRONKAARD-343
Het Pakket van het leveranciersapparaat Cmpak-4
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BF1101WR, 135 die verpakken

Opsporing

BF1101WR, 135 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BF1101WR, 135 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BF1101WR, 135 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BF1101WR, 135 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)