Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

IRF9910TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

IRF9910TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

IRF9910TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
IRF9910TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  IRF9910TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

IRF9910TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: IRF9910TR Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: HEXFET®

Spesifikasi IRF9910TR

Bagian Status Usang
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 10A, 12A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 13,4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 900pF @ 10V
Daya - Maks 2W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IRF9910TR

Deteksi

IRF9910TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0IRF9910TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1IRF9910TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2IRF9910TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)