Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

IRF8513TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

IRF8513TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

IRF8513TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
IRF8513TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  IRF8513TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

IRF8513TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: IRF8513TRPBF Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: HEXFET®

Spesifikasi IRF8513TRPBF

Bagian Status Usang
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 8A, 11A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 15,5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 766pF @ 15V
Daya - Maks 1,5W, 2,4W
Suhu Operasional -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IRF8513TRPBF

Deteksi

IRF8513TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0IRF8513TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1IRF8513TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2IRF8513TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)