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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S21170HR3

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S21170HR3

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S21170HR3

descripción
Número de parte: MRF7S21170HR3 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF7S21170HR3

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 2.17GHz
Aumento 16dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 1.4A
Poder - salida 50W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso NI-880
Paquete del dispositivo del proveedor NI-880
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF7S21170HR3

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S21170HR3 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S21170HR3 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S21170HR3 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S21170HR3 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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