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BLF6G27LS-50BN, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

Name: BLF6G27LS-50BN, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs
Brand: BLF6G27LS-50BN, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs
SKU: BLF6G27LS-50BN, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (187 reviews)

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BLF6G27LS-50BN, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

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Contacto

BLF6G27LS-50BN, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

descripción

Número de parte:	BLF6G27LS-50BN, 118	Fabricante:	NXP USA Inc.
Descripción:	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

BLF6G27LS-50BN, 118 especificaciones

Situación de la parte	Activo
Tipo del transistor	LDMOS (dual)
Frecuencia	2.5GHz ~ 2.7GHz
Aumento	16.5dB
Voltaje - prueba	28V
Grado actual	12A
Figura de ruido	-
Actual - prueba	430mA
Poder - salida	3W
Voltaje - clasificado	65V
Paquete/caso	SOT-1112B
Paquete del dispositivo del proveedor	CDFM6
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

BLF6G27LS-50BN, 118 que empaquetan

Detección

BLF6G27LS-50BN, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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