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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S23120HSR3

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S23120HSR3

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S23120HSR3

descripción
Número de parte: MRF8S23120HSR3 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8S23120HSR3

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 2.3GHz
Aumento 16dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 800mA
Poder - salida 28W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso NI-780S
Paquete del dispositivo del proveedor NI-780S
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8S23120HSR3

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S23120HSR3 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S23120HSR3 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S23120HSR3 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S23120HSR3 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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