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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de MAGX-001090-600L0S

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de MAGX-001090-600L0S

descripción
Número de parte: MAGX-001090-600L0S Fabricante: Soluciones de la tecnología de M/A-Com
Descripción: TRANSISTOR RF 600W GAN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de MAGX-001090-600L0S

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor HEMT
Frecuencia 1.03GHz ~ 1.09GHz
Aumento 21.4dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual 80A
Figura de ruido -
Actual - prueba 600mA
Poder - salida 550W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso -
Paquete del dispositivo del proveedor -
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de MAGX-001090-600L0S

Detección

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etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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