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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3079ATE12LQ

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3079ATE12LQ

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3079ATE12LQ
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3079ATE12LQ

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3079ATE12LQ

descripción
Número de parte: 2SK3079ATE12LQ Fabricante: Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Descripción: MOSF RF N CH 10V PW-X Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones 2SK3079ATE12LQ

Situación de la parte Interrumpido en Digi-Key
Tipo del transistor Canal N
Frecuencia 470MHz
Aumento 13.5dB
Voltaje - prueba 4.5V
Grado actual 3A
Figura de ruido -
Actual - prueba 50mA
Poder - salida 33.5dBmW
Voltaje - clasificado 10V
Paquete/caso TO-271AA
Paquete del dispositivo del proveedor PW-X
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado 2SK3079ATE12LQ

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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