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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HSR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HSR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HSR5

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1312HSR5

descripción
Número de parte: MMRF1312HSR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: PICO 50V del TRANSPORTE 960-1215MHZ 1000W Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MMRF1312HSR5

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 1.034GHz
Aumento 19.6dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 100mA
Poder - salida 1000W
Voltaje - clasificado 112V
Paquete/caso NI-1230-4S
Paquete del dispositivo del proveedor NI-1230-4S
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MMRF1312HSR5

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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