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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF1K50GNR5

Name: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF1K50GNR5
Brand: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF1K50GNR5
SKU: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF1K50GNR5
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (171 reviews)

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF1K50GNR5

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Datos del producto:

Lugar de origen:	Original

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Cantidad de orden mínima:	Negociable
Precio:	Negotiable
Tiempo de entrega:	Negociable
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Capacidad de la fuente:	100000

Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF1K50GNR5

descripción

Número de parte:	MRF1K50GNR5	Fabricante:	NXP USA Inc.
Descripción:	PODER LDMOS TRANSIST DEL RF DE LA BANDA ANCHA	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF1K50GNR5

Situación de la parte	Activo
Tipo del transistor	LDMOS
Frecuencia	1.8MHz ~ 500MHz
Aumento	23dB
Voltaje - prueba	50V
Grado actual	-
Figura de ruido	-
Actual - prueba	-
Poder - salida	1500W
Voltaje - clasificado	50V
Paquete/caso	OM-1230G-4L
Paquete del dispositivo del proveedor	OM-1230G-4L
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF1K50GNR5

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF1K50GNR5 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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Especificaciones MRF1K50GNR5

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