|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер детали: | IRF8915 | Изготовитель: | Технологии Infineon |
|---|---|---|---|
| Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC | Категория: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы |
| Семья: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы | Серия: | HEXFET® |
| Состояние части | Устарелый |
|---|---|
| Тип FET | N-канал 2 (двойной) |
| Особенность FET | Ворота уровня логики |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 20V |
| Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 8.9A |
| Rds на (Макс) @ id, Vgs | mOhm 18,3 @ 8.9A, 10V |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | 2.5V @ 250µA |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 540pF @ 10V |
| Сила - Макс | 2W |
| Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
| Пакет/случай | 8-SOIC (0,154", ширина 3.90mm) |
| Пакет прибора поставщика | 8-SO |
| Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
| Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Контактное лицо: Darek
Телефон: +8615017926135
