Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти

ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Обломок IC памяти b

Оставьте нам сообщение

ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Обломок IC памяти b

ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Обломок IC памяти b
ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Обломок IC памяти b

Большие изображения :  ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Обломок IC памяти b

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Обломок IC памяти b

описание
Номер детали: ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: B Изготовитель: Микрон Технология Inc.
Описание: LPDDR4 16G 512MX32 FBGA Категория: Память
Семья: Память

ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Спецификации b

Состояние части Устарелый
Формат памяти RAM
Тип памяти Мобильное LPDDR4 SDRAM
Размер запоминающего устройства 16G (512M x 32)
Скорость 1600MHz
Интерфейс -
Напряжение тока - поставка 1.1V
Рабочая температура -30°C | 85°C (TC)
Пакет/случай -
Пакет прибора поставщика -
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Упаковка b

Обнаружение

ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Обломок IC памяти b 0ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Обломок IC памяти b 1ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Обломок IC памяти b 2ВЕС MT53B512M32D2GZ-062: Обломок IC памяти b 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты