Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияПолевой транзистор

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRFE6VP5600HSR6

Оставьте нам сообщение

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRFE6VP5600HSR6

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRFE6VP5600HSR6
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRFE6VP5600HSR6

Большие изображения :  Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRFE6VP5600HSR6

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRFE6VP5600HSR6

описание
Номер детали: MRFE6VP5600HSR6 Изготовитель: NXP США Inc.
Описание: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S Категория: Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Семья: Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF

Спецификации MRFE6VP5600HSR6

Состояние части Прерыванный на Digi-ключе
Тип транзистора LDMOS (двойное)
Частота 230MHz
Увеличение 25dB
Напряжение тока - тест 50V
Настоящая оценка -
Диаграмма шума -
Настоящий - тест 100mA
Сила - выход 600W
Расклассифицированное напряжение тока - 130V
Пакет/случай NI-1230S
Пакет прибора поставщика NI-1230S
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка MRFE6VP5600HSR6

Обнаружение

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRFE6VP5600HSR6 0Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRFE6VP5600HSR6 1Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRFE6VP5600HSR6 2Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRFE6VP5600HSR6 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты