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Transistor IGBTs do módulo de poder de HGT1S7N60A4DS IGBT único

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Transistor IGBTs do módulo de poder de HGT1S7N60A4DS IGBT único

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Imagem Grande :  Transistor IGBTs do módulo de poder de HGT1S7N60A4DS IGBT único

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Transistor IGBTs do módulo de poder de HGT1S7N60A4DS IGBT único

descrição
Número da peça: HGT1S7N60A4DS Fabricante: Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição: IGBT 600V 34A 125W TO263AB Categoria: Transistor - IGBTs - únicos
Família: Transistor - IGBTs - únicos

Especificações de HGT1S7N60A4DS

Estado da parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 34A
Atual - coletor pulsado (Icm) 56A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.7V @ 15V, 7A
Poder - máximo 125W
Energia de comutação 55µJ (sobre), 60µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 37nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 11ns/100ns
Condição de teste 390V, 7A, 25 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 34ns
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-263AB
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de HGT1S7N60A4DS

Detecção

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Contacto
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Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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