Transistor IGBTs do módulo de poder de APT200GN60B2G IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
APT200GN60B2G
Fabricante:
Microsemi Corporaçõ
Descrição:
IGBT 600V 283A 682W TO247
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações de APT200GN60B2G
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | Parada de campo da trincheira |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 600V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 283A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 600A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 1.85V @ 15V, 200A |
| Poder - máximo | 682W |
| Energia de comutação | 13mJ (sobre), 11mJ (fora) |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 1180nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 50ns/560ns |
| Condição de teste | 400V, 200A, 1 ohm, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote/caso | TO-247-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | - |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de APT200GN60B2G
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable