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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20160HR5

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20160HR5

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20160HR5

descrição
Número da peça: MRF8P20160HR5 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 2CH 65V 1.92GHZ Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF8P20160HR5

Estado da parte Obsoleto
Tipo do transistor LDMOS (duplo)
Frequência 1.92GHz
Ganho 16.5dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 550mA
Saídas de potência 37W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso NI-780-4
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-780-4
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF8P20160HR5

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20160HR5 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20160HR5 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20160HR5 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20160HR5 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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