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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9910PBF

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9910PBF

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9910PBF
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9910PBF

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9910PBF

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9910PBF

descrizione
Numero del pezzo: IRF9910PBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: HEXFET®

Specifiche di IRF9910PBF

Stato della parte Cessato alla Digi-chiave
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 10A, 12A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs mOhm 13,4 @ 10A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.55V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 900pF @ 10V
Massimo elettrico 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRF9910PBF

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9910PBF 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9910PBF 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9910PBF 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9910PBF 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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