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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF9910

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF9910
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF9910
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF9910
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (163 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF9910

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF9910

descrizione

Numero del pezzo:	IRF9910	Produttore:	Infineon Technologies
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici	Serie:	HEXFET®

Specifiche IRF9910

Stato della parte	Obsoleto
Tipo del FET	2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	10A, 12A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	mOhm 13,4 @ 10A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	2.55V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	900pF @ 10V
Massimo elettrico	2W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore	8-SO
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballare IRF9910

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF9910 0

Prodotto Tag:

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