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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BTS7904SAKSA1

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BTS7904SAKSA1

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BTS7904SAKSA1
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BTS7904SAKSA1

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BTS7904SAKSA1

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BTS7904SAKSA1

descrizione
Numero del pezzo: BTS7904SAKSA1 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: OptiMOS™

Specifiche BTS7904SAKSA1

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 55V, 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 40A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 12 mOhm @ 20A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.2V @ 40µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 123nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 6100pF @ 25V
Massimo elettrico 69W, 96W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-220-5
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO220-5-13
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BTS7904SAKSA1

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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