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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7752GTRPBF

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7752GTRPBF

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7752GTRPBF
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7752GTRPBF

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7752GTRPBF

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7752GTRPBF

descrizione
Numero del pezzo: IRF7752GTRPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: HEXFET®

Specifiche di IRF7752GTRPBF

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 4.6A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 30 mOhm @ 4.6A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 861pF @ 25V
Massimo elettrico 1W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-TSSOP (0,173", larghezza di 4.40mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-TSSOP
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRF7752GTRPBF

Rilevazione

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