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Transistor IGBTs del modulo di potere di IGB50N60T IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IGB50N60T IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IGB50N60T IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IGB50N60T IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IGB50N60T IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IGB50N60T IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IGB50N60T Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 600V 100A 333W TO263-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: TrenchStop®

Specifiche di IGB50N60T

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 100A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 150A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 50A
Massimo elettrico 333W
Energia di commutazione 2.6mJ
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 310nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 26ns/299ns
Condizione di prova 400V, 50A, 7 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO263-3-2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IGB50N60T

Rilevazione

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