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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4B60KD1TRLP IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4B60KD1TRLP IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4B60KD1TRLP IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4B60KD1TRLP IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4B60KD1TRLP IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4B60KD1TRLP IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IRGS4B60KD1TRLP Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 600V 11A 63W D2PAK Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di IRGS4B60KD1TRLP

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 11A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 22A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.5V @ 15V, 4A
Massimo elettrico 63W
Energia di commutazione 73µJ (sopra), 47µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 12nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 22ns/100ns
Condizione di prova 400V, 4A, 100 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 93ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRGS4B60KD1TRLP

Rilevazione

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