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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT40GR120B2D30 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT40GR120B2D30 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT40GR120B2D30 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di APT40GR120B2D30 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di APT40GR120B2D30 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT40GR120B2D30 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: APT40GR120B2D30 Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 88A 500W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche APT40GR120B2D30

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 88A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 160A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 3.2V @ 15V, 40A
Massimo elettrico 500W
Energia di commutazione 1.38mJ (sopra), 906µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 210nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 22ns/163ns
Condizione di prova 600V, 40A, 4,3 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare APT40GR120B2D30

Rilevazione

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