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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR24N120C3D1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR24N120C3D1 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR24N120C3D1 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR24N120C3D1 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR24N120C3D1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR24N120C3D1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IXGR24N120C3D1 Produttore: IXYS
Descrizione: IGBT 1200V 48A 200W ISOPLUS247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: GenX3™

Specifiche IXGR24N120C3D1

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Pinta
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 48A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 96A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 4.2V @ 15V, 20A
Massimo elettrico 200W
Energia di commutazione 1.37mJ (sopra), 470µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 79nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 16ns/93ns
Condizione di prova 600V, 20A, 5 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 220ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso ISOPLUS247™
Pacchetto del dispositivo del fornitore ISOPLUS247™
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IXGR24N120C3D1

Rilevazione

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