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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT20GT60BRDQ1G IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT20GT60BRDQ1G IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT20GT60BRDQ1G IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di APT20GT60BRDQ1G IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di APT20GT60BRDQ1G IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT20GT60BRDQ1G IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: APT20GT60BRDQ1G Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 600V 43A 174W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: Colpo di fulmine IGBT®

Specifiche di APT20GT60BRDQ1G

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 43A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 80A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.5V @ 15V, 20A
Massimo elettrico 174W
Energia di commutazione 215µJ (sopra), 245µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 100nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 8ns/80ns
Condizione di prova 400V, 20A, 5 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247 [B]
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di APT20GT60BRDQ1G

Rilevazione

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