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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA60N60UFDTU IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA60N60UFDTU IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA60N60UFDTU IGBT singolo
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Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA60N60UFDTU IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA60N60UFDTU IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: FGA60N60UFDTU Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: IGBT 600V 120A 298W TO3P Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di FGA60N60UFDTU

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 120A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 180A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.4V @ 15V, 60A
Massimo elettrico 298W
Energia di commutazione 1.81mJ (sopra), 810µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 188nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 23ns/130ns
Condizione di prova 400V, 60A, 5 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 47ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-3P
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FGA60N60UFDTU

Rilevazione

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