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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT45GR65B IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT45GR65B IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT45GR65B IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di APT45GR65B IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di APT45GR65B IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT45GR65B IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: APT45GR65B Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 650V 92A 357W TO-247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di APT45GR65B

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 650V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 92A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 168A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.4V @ 15V, 45A
Massimo elettrico 357W
Energia di commutazione 900µJ (sopra), 580µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 203nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 15ns/100ns
Condizione di prova 433V, 45A, 4,3 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di APT45GR65B

Rilevazione

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