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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGAF40N60SMD IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGAF40N60SMD IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGAF40N60SMD IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di FGAF40N60SMD IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di FGAF40N60SMD IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGAF40N60SMD IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: FGAF40N60SMD Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: IGBT 600V 80A 79W TO-3PF Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di FGAF40N60SMD

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 80A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 120A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 1.9V @ 15V, 40A
Massimo elettrico 115W
Energia di commutazione 870µJ (sopra), 260µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 119nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 12ns/92ns
Condizione di prova 400V, 40A, 6 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 36ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso Pacchetto completo TO-3P-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-3PF
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FGAF40N60SMD

Rilevazione

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