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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW80V60DF IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW80V60DF IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW80V60DF IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW80V60DF IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW80V60DF IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW80V60DF IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGW80V60DF Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 600V 120A 469W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di STGW80V60DF

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 120A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 240A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.3V @ 15V, 80A
Massimo elettrico 469W
Energia di commutazione 1.8mJ (sopra), 1mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 448nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 60ns/220ns
Condizione di prova 400V, 80A, 5 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 60ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3 ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STGW80V60DF

Rilevazione

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