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Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW40N120H3 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW40N120H3 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW40N120H3 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW40N120H3 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW40N120H3 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW40N120H3 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IGW40N120H3 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: TrenchStop®

Specifiche IGW40N120H3

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 80A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 160A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.4V @ 15V, 40A
Massimo elettrico 483W
Energia di commutazione 3.16mJ
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 185nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 30ns/290ns
Condizione di prova 600V, 40A, 12 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IGW40N120H3

Rilevazione

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