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Transistor IGBTs del modulo di potere di SGW25N120 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di SGW25N120 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di SGW25N120 IGBT singolo
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Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di SGW25N120 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di SGW25N120 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: SGW25N120 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V 46A 313W TO247-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche SGW25N120

Stato della parte Non per le nuove progettazioni
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 46A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 84A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 3.6V @ 15V, 25A
Massimo elettrico 313W
Energia di commutazione 3.7mJ
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 225nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 45ns/730ns
Condizione di prova 800V, 25A, 22 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare SGW25N120

Rilevazione

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