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Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW30N60T IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW30N60T IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW30N60T IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW30N60T IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW30N60T IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW30N60T IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IKW30N60T Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 600V 60A 187W TO247-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: TrenchStop®

Specifiche di IKW30N60T

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 60A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 90A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.05V @ 15V, 30A
Massimo elettrico 187W
Energia di commutazione 1.46mJ
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 167nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 23ns/254ns
Condizione di prova 400V, 30A, 10,6 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 143ns
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IKW30N60T

Rilevazione

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