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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC20SPBF IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC20SPBF IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC20SPBF IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC20SPBF IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC20SPBF IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC20SPBF IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IRG4BC20SPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 600V 19A 60W TO220AB Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di IRG4BC20SPBF

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 19A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 38A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 1.6V @ 15V, 10A
Massimo elettrico 60W
Energia di commutazione 120µJ (sopra), 2.05mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 27nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 27ns/540ns
Condizione di prova 480V, 10A, 50 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-220-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-220AB
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Fabbrica originale nuova.

Imballaggio di IRG4BC20SPBF

Rilevazione

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