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MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Grande immagine :  MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

descrizione
Numero del pezzo: MRF8S21200HSR5 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

MRF8S21200HSR5 Specifications

Part Status Discontinued at Digi-Key
Transistor Type LDMOS (Dual)
Frequency 2.14GHz
Gain 18.1dB
Voltage - Test 28V
Current Rating -
Noise Figure -
Current - Test 1.4A
Power - Output 48W
Voltage - Rated 65V
Package / Case NI-1230S
Supplier Device Package NI-1230S
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

MRF8S21200HSR5 Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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