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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S7120NR3

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S7120NR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S7120NR3
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S7120NR3

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S7120NR3

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S7120NR3

descrizione
Numero del pezzo: MRF8S7120NR3 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 70V 768MHZ Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8S7120NR3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 768MHz
Guadagno 19.2dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 600mA
Uscita elettrica 32W
Tensione - stimata 70V
Pacchetto/caso OM-780-2
Pacchetto del dispositivo del fornitore OM-780-2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S7120NR3

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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